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1年半导体投资266亿美元, 三星直接将英特尔、台积电拉下马

作者:来源:中国电子报、电子信息产业网发布时间:2017-11-24 我要评论

  三星今年对半导体设备的投资额超过了英特尔和台积电,前者是世界上最大的系统半导体企业,后者是世界上最大的代工企业。

  市场调研公司称,三星今年对半导体设备的投资将达到260亿美元左右,比去年的投资增加了一倍多(113亿美元)。今年刚召开的第三季度半导体业务业绩的电话会议中,三星宣布,将投资266亿美元(29.5万亿韩元)。

  

  ​“在半导体行业37年,今年三星电子的投资金额是前所未闻的”,IC Insights首席执行官Bill McClean表示。

  IC Insights分析说,三星将投资140亿美元在3D NAND闪存,70亿美元到动态随机存取存储器,50亿美元用于铸造厂。IC Insights预测,三星将利用其投资的3D NAND闪存增加在平泽的新工厂的生产能力;同时三星的DRAM和铸造的投资将用于升级进程节点和补充损失晶圆投入(增加进程的数量),并增加生产10纳米半导体。

  三星的这一大规模投资将导致3D NAND闪存的供应过剩。“这将刺激其他竞争对手的投资,如SK海力士、东芝、美光和英特尔。”或许会引发新一轮投资竞赛。

 


来源:中国电子报、电子信息产业网            责任编辑:林美炳

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